降低漏电的记忆体单元

摘要

本发明描述用于在半导体记忆体储存单元中降低漏电流之方法及结构。垂直定向之奈米棒可用于一存取电晶体之通道区中。可使奈米棒之直径足够小以导致该存取电晶体之该通道区中的电子带隙能之增加,其可用于在存取电晶体关闭状态下限制通道漏电流。在各种实施例中,存取电晶体可电耦合至一双面电容器。亦揭示根据本发明之实施例之记忆体装置及包括此等装置之系统。