具金属氧化物之多阶电阻随机存取记忆结构及其制造法

摘要

一种双稳态电阻随机存取记忆体之结构与方法,此结构包括复数个可程式化电阻随机存取记忆细胞,每一可程式化电阻随机存取记忆细胞包括多个记忆构件,以在每一记忆细胞中进行多位元记忆。此双稳态电阻随机存取记忆体包括一第一电阻随机存取构件,其经过内连接金属衬底与金属氧化物长条而连接至一第二电阻随机存取构件。第一电阻随机存取构件具有一第一电阻値Ra,其系由第一电阻随机存取构件之厚度所决定,取决于第一电阻随机存取构件的沈积步骤。第二电阻随机存取构件具有一第二电阻値Rb,其系由第二电阻随机存取构件之厚度所决定,取决于第二电阻随机存取构件的沈积步骤。