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发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
本发明之一目的在于提供安装有记忆体的半导体装置,其可在自无线讯号所产生的电流値及电压値的范围内被驱动。另一目的在于提供写入一次多次读取记忆体,在半导体装置制造之后,任何时间可以将资料写入一次多次读取记忆体中。在绝缘基板之上形成天线、抗熔丝型ROM、及驱动电路。在包含于抗熔丝型ROM中的成对电极之中,也经由与包含于驱动电路中的电晶体的源极电极和汲极电极相同的步骤及材料来形成成对电极中的另一电极。
申请公布号
TW200828595
申请公布日期
2008.07.01
申请号
TW096137135
申请日期
2007.10.03
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
德永肇
分类号
H01L29/786(2006.01);H01L21/8246(2006.01)
主分类号
H01L29/786(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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