浅沟渠隔离之二氧化矽高品质介电膜的形成:于高纵深比填沟制程II(HARP II)使用不同的矽氧烷前驱物--远端电浆辅助沉积制程FORMATION OF HIGH QUALITY DIELECTRIC FILMS OF SILICON DIOXIDE FOR STI: USAGE OF DIFFERENT SILOXANE-BASED PRECURSORS FOR HARP II-REMOTE PLASMA ENHANCED DEPOSITION PROCESSES

摘要

本发明描述一种在形成于基材上之间隙中沈积一介电层的方法。该方法包括导入一有机矽前驱物及一氧前驱物至一沈积反应室。该有机矽前驱物的C:Si原子比小于8,且该氧前驱物包括在该沈积反应室外产生的氧原子。使该些前驱物进行反应以在该间隙中形成介电层。亦描述以介电材料填充一间隙的方法。该方法包括提供一C:Si原子比小于8之有机矽前驱物及一氧前驱物,并由该些前驱物产生一电浆以在该间隙中沈积该介电材料的第一部份。可蚀刻该介电材料,且可在该间隙中形成该介电材料的第二部份。可退火处理该介电材料的第一及第二部份。