发明名称 记忆体装置、记忆体控制器及记忆体系统(三) MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER AND MEMORY SYSTEM
摘要 提供一种记忆体装置,该记忆体装置的一记忆体控制器,以及它的一记忆体系统,其中由该记忆体装置之再新操作所引起的有效频宽的减少已被解决。依据来自一记忆体控制器的一命令被操作的一记忆体装置具有复数个记忆体组,其等分别具有包括记忆体单元阵列的记忆体核心及解码器并由记忆体组位址选择;以及一控制电路,其依据一背后的再新命令,使该记忆体控制器所设定的再新目标记忆体组内的记忆体核心连续执行再新操作数次,该次数对应于该记忆体控制器所设定的再新丛发长度,以及在该等再新目标记忆体组内的记忆体核心所执行该再新操作期间,依据一正常的操作命令,进一步使除了该等再新目标记忆体组以外的由该等记忆体组位址选择的记忆体组内的记忆体核心执行对应于该正常操作命令的正常记忆体操作。
申请公布号 TW200828307 申请公布日期 2008.07.01
申请号 TW096122859 申请日期 2007.06.25
申请人 富士通股份有限公司 发明人 川久保智广;山口秀策;池田仁史;内田敏也;小林广之;神田达哉;山本喜史;白川晓;宫本哲生;大塚龙志;高桥秀长;栗田昌德;鎌田心之介;佐藤绫子
分类号 G11C11/401(2006.01);G11C11/4063(2006.01) 主分类号 G11C11/401(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本