用以制造一自我收敛记忆材料元件于记忆胞中之方法

摘要

一种在制造一记忆胞时生成之自收敛记忆材料元件,包括具有一底电极之一基底层以及一上层,该上层其具有一第三平坦化停止层于基底层之上、一第二层于第三层之上、以及一第一层于第二层之上。一微孔开口系形成穿透此上层以将底电极外露。第一层具有一凸悬部份延伸进入开口中。一介电材料系沈积于微孔开口中,以生成一自收敛空洞于此微孔开口中。一非等向性蚀刻形成了一介电材料侧壁于微孔开口中,一电极孔系对准至此空洞而将底电极外露。一记忆材料系沈积于电极孔中而接触至底电极,并向下平坦化至第三层以生成此记忆材料元件。