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1.一种电子束描绘方法,系藉由电子束曝光而描绘 图案之方法,并包含前述图案之尺寸修正者,其特 征为: 以模糊效果修正用之网目(复数个)和近接效果修 正用之网目(复数个)分割成为前述修正对象之描 绘图案区域,对于前述各个网目,求出描绘图案之 面积占有率,计算在以完全不进行对于前述各个网 目之修正之状态下进行曝光之情况之模糊效果及 近接效果所造成之累积能量,根据求出之累积能量 ,进行求出对于可忽略模糊效果及近接效果之影响 之图案尺寸一致之近接效果修正用之网目之曝光 量之初次计算, 根据前次计算所求出之曝光量,计算模糊效果及近 接效果所造成之累积能量,根据求出之累积能量, 进行求出对于可忽略模糊效果及近接效果之影响 之图案尺寸一致之近接效果修正用之网目之曝光 量之再计算, 重复进行前述再计算直至达到要求之尺寸精度为 止,藉以求出修正近接效果及模糊效果所造成之描 绘图案之尺寸误差之修正曝光量,使用前述修正曝 光量,描绘图案。 2.如申请专利范围第1项之电子束描绘方法,其中, 前述再计算中,求出前次计算之近接效果修正用网 目之曝光量和此次之差,对该差乘以大于0、未满1 之一定値,使用加计于前次计算之曝光量之値作为 此次之曝光量。 3.如申请专利范围第1或2项之电子束描绘方法,其 中,前述模糊效果修正用网目(复数个)系粗网目,前 述近接效果修正用网目(复数个)系细网目。 4.如申请专利范围第1或2项之电子束描绘方法,其 中,在前述初次计算中,由在以完全不进行对于前 述各个网目之修正之状态下进行曝光之情况之模 糊效果及近接效果所造成之累积能量,缩小并使用 模糊效果和近接效果之影响所造成之累积能量, 在前述再计算中,固定并计算根据前次计算所求出 之曝光量之模糊效果和近接效果之影响所造成之 累积能量。 5.如申请专利范围第1或2项之电子束描绘方法,其 中,前述模糊效果修正用网目(复数个)系粗网目,前 述近接效果修正用网目(复数个)系细网目, 在前述初次计算中,由在以完全不进行对于前述各 个网目之修正之状态下进行曝光之情况之模糊效 果及近接效果所造成之累积能量,缩小并使用模糊 效果和近接效果之影响所造成之累积能量, 在前述再计算中,固定并计算根据前次计算所求出 之曝光量之模糊效果和近接效果之影响所造成之 累积能量。 6.如申请专利范围第1或2项之电子束描绘方法,其 中,在前述初次计算及前述再计算中,藉由在前述 之每各个网目指定显影临限値,在面内保持描绘图 案之粗密依附特性为一定,同时修正显影之面内均 匀性。 7.如申请专利范围第1或2项之电子束描绘方法,其 中,前述模糊效果修正用网目(复数个)系粗网目,前 述近接效果修正用网目(复数个)系细网目, 在前述初次计算及前述再计算中,藉由在前述模糊 效果修正用之每个粗网目指定显影临限値,在面内 保持描绘图案之粗密依附特性为一定,同时修正显 影之面内均匀性。 8.如申请专利范围第1或2项之电子束描绘方法,其 中,在前述初次计算及前述再计算中,藉由在前述 之每各个网目指定显影临限値及蚀刻变换差,在面 内保持描绘图案之粗密依附特性为一定,同时修正 显影之面内均匀性,提高蚀刻后之面内均匀性。 9.如申请专利范围第1或2项之电子束描绘方法,其 中,前述模糊效果修正用网目(复数个)系粗网目,前 述近接效果修正用网目(复数个)系细网目, 在前述初次计算及前述再计算中,藉由在前述模糊 效果修正用之每个粗网目指定显影临限値及蚀刻 变换差,在面内保持描绘图案之粗密依附特性为一 定,同时修正显影之面内均匀性,提高蚀刻后之面 内均匀性。 10.如申请专利范围第1或2项之电子束描绘方法,其 中,在前述初次计算及前述再计算中,在前述之每 各个网目指定显影临限値, 使用实施补偿蚀刻变换差之分级(sizing)之资料作 为前述描绘图案,藉以在面内保持描绘图案之粗密 依附特性为一定,同时提高蚀刻后之面内均匀性。 11.如申请专利范围第1或2项之电子束描绘方法,其 中,前述模糊效果修正用网目(复数个)系粗网目,前 述近接效果修正用网目(复数个)系细网目, 在前述初次计算及前述再计算中,在前述模糊效果 修正用之每个粗网目指定显影临限値, 使用实施补偿蚀刻变换差之分级之资料作为前述 描绘图案,藉以在面内保持描绘图案之粗密依附特 性为一定,同时提高蚀刻后之面内均匀性。 12.如申请专利范围第1或2项之电子束描绘方法,其 中,藉由前述初次计算所求出之曝光量系在不具有 近接效果以及模糊效果之情况,对形成要求尺寸之 描绘图案之基准之剂量乘以近接效果修正之调变 量,并进一步乘以模糊修正之调变量者。 13.一种微影遮罩之制造方法,系制造在基板上形成 有遮罩图案之微影遮罩之微影遮罩之制造方法,其 特征为具备申请专利范围第1项所记载之描绘步骤 。 14.一种电子束描绘装置,系用以藉由电子束曝光而 描绘图案之装置,并包含前述图案之尺寸修正功能 者,其特征为具有: 修正资讯记忆部,系藉由模糊效果修正用之网目( 复数个)和近接效果修正用之网目(复数个)分割成 为前述修正对象之描绘图案区域;对于前述各个网 目,求出描绘图案之面积占有率,计算在以完全不 进行对于前述各个网目之修正之状态下进行曝光 之情况之模糊效果及近接效果所造成之累积能量, 根据求出之累积能量,进行求出对于可忽略模糊效 果及近接效果之影响之图案尺寸一致之近接效果 修正用之网目之曝光量之初次计算;根据前次计算 所求出之曝光量,计算模糊效果及近接效果所造成 之累积能量,根据求出之累积能量,进行求出对于 可忽略模糊效果及近接效果之影响之图案尺寸一 致之近接效果修正用之网目之曝光量之再计算;重 复进行前述再计算直至达到要求之尺寸精度为止, 藉以求出修正近接效果及模糊效果所造成之描绘 图案之尺寸误差之修正曝光量,记忆前述修正曝光 资讯; 图案资讯记忆部,系记忆描绘图案资讯; 描绘机本体,系使用前述描绘图案资讯中成为前述 修正对象之描绘区域之图案资讯和前述修正曝光 资讯,将修正近接效果及模糊效果所造成之描绘图 案之尺寸误差之图案进行电子束描绘。 15.如申请专利范围第14项之电子束描绘装置,其中, 在前述再计算中,求出前次计算之近接效果修正用 网目之曝光量和此次之差,对该差乘以大于0、未 满1之一定値,使用加计于前次计算之曝光量之値 作为此次之曝光量。 16.如申请专利范围第14或15项之电子束描绘装置, 其中,前述模糊效果修正用网目(复数个)系粗网目, 前述近接效果修正用网目(复数个)系细网目。 17.如申请专利范围第14或15项之电子束描绘装置, 其中,在前述初次计算中,由在以完全不进行对于 前述各个网目之修正之状态下进行曝光之情况之 模糊效果及近接效果所造成之累积能量,缩小并使 用模糊效果和近接效果之影响所造成之累积能量, 在前述再计算中,固定并计算根据藉由前次计算所 求出之曝光量之模糊效果和近接效果之影响所造 成之累积能量。 18.如申请专利范围第14或15项之电子束描绘装置, 其中,前述模糊效果修正用网目(复数个)系粗网目, 前述近接效果修正用网目(复数个)系细网目, 在前述初次计算中,由在以完全不进行对于前述各 个网目之修正之状态下进行曝光之情况之模糊效 果及近接效果所造成之累积能量,缩小并使用模糊 效果和近接效果之影响所造成之累积能量,在前述 再计算中,固定并计算根据前次计算所求出之曝光 量之模糊效果和近接效果之影响所造成之累积能 量。 19.如申请专利范围第14或15项之电子束描绘装置, 其中,在前述初次计算及前述再计算中,藉由在前 述之每各个网目指定显影临限値,在面内保持描绘 图案之粗密依附特性为一定,同时修正显影之面内 均匀性。 20.如申请专利范围第14或15项之电子束描绘装置, 其中,前述模糊效果修正用网目(复数个)系粗网目, 前述近接效果修正用网目(复数个)系细网目, 在前述初次计算及前述再计算中,藉由在前述模糊 效果修正用之每个粗网目指定显影临限値,在面内 保持描绘图案之粗密依附特性为一定,同时修正显 影之面内均匀性。 21.如申请专利范围第14或15项之电子束描绘装置, 其中,在前述初次计算及前述再计算中,藉由在前 述之每各个网目指定显影临限値及蚀刻变换差,在 面内保持描绘图案之粗密依附特性为一定,同时修 正显影之面内均匀性,提高蚀刻后之面内均匀性。 22.如申请专利范围第14或15项之电子束描绘装置, 其中,前述模糊效果修正用网目(复数个)系粗网目, 前述近接效果修正用网目(复数个)系细网目, 在前述初次计算及前述再计算中,藉由在前述模糊 效果修正用之每个粗网目指定显影临限値及蚀刻 变换差,在面内保持描绘图案之粗密依附特性为一 定,同时修正显影之面内均匀性,提高蚀刻后之面 内均匀性。 23.如申请专利范围第14或15项之电子束描绘装置, 其中,在前述初次计算及前述再计算中,在前述之 每各个网目指定显影临限値, 使用实施补偿蚀刻变换差之分级之资料作为前述 描绘图案,藉以在面内保持描绘图案之粗密依附特 性为一定,同时提高蚀刻后之面内均匀性。 24.如申请专利范围第14或15项之电子束描绘装置, 其中,前述模糊效果修正用网目(复数个)系粗网目, 前述近接效果修正用网目(复数个)系细网目, 在前述初次计算及前述再计算中,在前述模糊效果 修正用之每个粗网目指定显影临限値, 使用实施补偿蚀刻变换差之分级之资料作为前述 描绘图案,藉以在面内保持描绘图案之粗密依附特 性为一定,同时提高蚀刻后之面内均匀性。 25.如申请专利范围第14或15项之电子束描绘装置, 其中,藉由前述初次计算所求出之曝光量系在不具 近接效果以及模糊效果之情况,对形成要求尺寸之 描绘图案之基准之剂量乘以近接效果修正之调变 量,并进一步乘以模糊修正之调变量者。 图式简单说明: 图1系本发明之电子束描绘方法之第1实施形态之 初次计算之概念图。 图2系本发明之电子束描绘方法之第1实施形态之 再计算之概念图。 图3系本发明之电子束描绘方法之第2实施形态之 再计算之概念图。 图4(a)、(b)系显示本发明之电子束描绘方法之第5 实施形态之描绘图案之原资料和分级映像之对应 关系之概念图。 图5系显示描绘于阻剂上之图案之俯视图。 图6系本发明之第8实施形态之电子束描绘装置之 示意图。 图7系习知之电子束描绘方法之初次计算之概念图 。 图8系习知之电子束描绘方法之再计算之概念图。 |
