利用切换回授路径技术的双频带压控振荡器

摘要

一种宽频电感电容压控振荡器电路,至少包含一回授开关电路、一切换开关电路、一推动级电路、一电感阵列以及一电路区块。本发明是并联两组以上回授路径于主动元件的两端,这两组以上回授路径可个别给予独立的共振频率,并透过开关元件来选择一回授路径,取得所需的工作频带。本发明最主要目的在控制振荡器电路的回授路径路径以取得宽频的双频输出。藉由路径中的开关元件,可让两组以上不同频带共同使用一电路区块,达到节省晶片使用面积和功率消耗的目标。

主权项

1.一种双频带压控振荡器装置,至少包含: 一回授开关电路,系提供该双频振荡器之振荡信号 的回授路径; 一切换开关电路,系用以切换该双频振荡器之振荡 信号的回授路径,一端耦接于该回授开关电路,另 一端同时耦接于该回授开关电路与一切换电压端; 一电路区块,系用以提供每一回授路径之主动负载 ,耦接于该回授开关电路; 一电感阵列,系用以提供共振电感至每一回授路径 ,一端耦接于一直流偏压,另一端同时耦接该电路 区块与该回授开关电路;以及 一推动级电路,系用以传送振荡讯号至输出端,同 时耦接于该回授开关电路与该电块区块。 2.如申请专利范围第1项所述之双频带压控振荡器 装置,其中该电路区块包含: 一变容器,其中该变容器之阳极系耦接于一调频端 ; 一电流源,其中该电流源之一端系耦接于该变容器 之阴极,另一端耦接于一低电位;以及 一第二N型电晶体,其中该第二N型电晶体的源极耦 接于该变容器之阴极。 3.如申请专利范围第2项所述之双频带压控振荡器 装置,其中该推动级电路包含: 一第一P型电晶体,其中该第一P型电晶体之源极耦 接于一高电位;以及 一第一N型电晶体,其中该第一N型电晶体之源极接 于该低电位,汲极耦接于该第一P型电晶体之汲极 并耦接至该输出端,闸极同时耦接于该第一P型电 晶体之闸极与该变容器之阴极。 4.如申请专利范围第3项所述之双频带压控振荡器 装置,其中该回授开关电路包含: 一第二P型电晶体; 一第三P型电晶体;以及 一电容,其中该电容之一端系耦接于该第一N型电 晶体之闸极,另一端则同时耦接于该第二P型电晶 体之汲极与该第三P型电晶体之汲极。 5.如申请专利范围第4项所述之双频带压控振荡器 装置,其中该切换开关电路包含: 一第四P型电晶体,其中该第四P型电晶体之源极系 耦接于该高电位;以及 一第三N型电晶体,其中该第三N型电晶体之闸极耦 接于该第四P型电晶体之闸极、该第三P型电晶体 之闸极以及该切换电压端,源极耦接于该低电位, 该第三N型电晶体之汲极同时耦接于该第四P型电 晶体之汲极以及该第二P型电晶体之闸极。 6.如申请专利范围第5项所述之双频带压控振荡器 装置,其中该电感阵列包含: 一第一电感,其中该第一电感之一端耦接于该高电 位,另一端同时耦接于该第二P型电晶体之源极与 该第二N型电晶体之汲极;以及 一第二电感,其中该第二电感之一端耦接于该直流 偏压,另一端同时耦接于该第三P型电晶体之源极 与该第二N型电晶体之闸极。 7.如申请专利范围第1项所述之双频带压控振荡器 装置,其中该电路区块包含: 一第三N型电晶体; 一第四N型电晶体; 一第五N型电晶体,其中该第五N型电晶体之汲极系 耦接于该第三N型电晶体之源极; 一第六N型电晶体,其中该第六N型电晶体之汲极系 耦接于该第四N型电晶体之源极与第五N型电晶体 之闸极,该第六N型电晶体之源极耦接于该第五N型 电晶体之源极与一低电位,该第六N型电晶体之闸 极耦接于该第五N型电晶体之汲极; 一第一变容器,其中该第一变容器之阴极耦接于第 六电晶体之汲极,而该第一变容器之阳极耦接于调 频端;以及 一第二变容器,其中该第二变容器之阴极耦接于该 第五电晶体之汲极,而该第二变容器之阳极耦接于 调频端。 8.如申请专利范围第7项所述之双频带压控振荡器 装置,其中该推动级电路包含: 一第一P型电晶体,其中该第一P型电晶体之源极耦 接于一高电位; 一第二P型电晶体,其中该第二P型电晶体之源极耦 接于该高电位; 一第一N型电晶体,其中该第一N型电晶体之源极接 于该低电位,汲极耦接于该第一P型电晶体之汲极 并耦接至一第一输出端,闸极同时耦接于该第一P 型电晶体之闸极、该第四N型电晶体之源极以及该 第五N型电晶体之闸极;以及 一第二N型电晶体,其中该第二N型电晶体之源极耦 接于该低电位,汲极同时耦接于该第二P型电晶体 之汲极与一第二输出端,闸极同时耦接于该第二P 型电晶体之闸极与该第四N型电晶体之源极。 9.如申请专利范围第8项所述之双频带压控振荡器 装置,其中该回授开关电路包含: 一第三P型电晶体; 一第四P型电晶体,该第四P型电晶体之汲极耦接于 该第三P型电晶体之汲极; 一第五P型电晶体; 一第六P型电晶体,该第六P型电晶体之汲极耦接于 该第五P型电晶体之汲极; 一第一电容,该第一电容之一端耦接于该第四P型 电晶体之汲极,另一端耦接于该第一N型电晶体之 闸极;以及 一第二电容,其中该第二电容之一端系耦接于该第 六P型电晶体之汲极,另一端系耦接于该第六N型电 晶体之闸极。 10.如申请专利范围第9项所述之双频带压控振荡器 装置,其中该切换开关电路包含: 一第七P型电晶体,其中该第七P型电晶体之源极系 耦接于该高电位;以及 一第七N型电晶体,其中该第七N型电晶体之闸极耦 接于该第七P型电晶体之闸极、该切换电压端、第 四P型电晶体之闸极以及第六P型电晶体之闸极,源 极耦接于该低电位,汲极耦接于该第七P型电晶体 之汲极、该第五P型电晶体之闸极以及该第三P型 电晶体之闸极。 11.如申请专利范围第10项所述之双频带压控振荡 器装置,其中该电感阵列包含: 一第一电感,其中该第一电感之一端耦接于该高电 位,另一端同时耦接于该第四N型电晶体之闸极与 该第三P型电晶体之源极; 一第二电感,其中该第二电感之一端耦接于该直流 偏压,另一端同时耦接于该第四N型电晶体之汲极 与该第四P型电晶体之源极; 一第三电感,其中该第三电感之一端耦接于该高电 位,另一端同时耦接于该第三N型电晶体之汲极与 该第五P型电晶体之源极;以及 一第四电感,其中该第四电感之一端耦接于该直流 偏压,另一端同时耦接于该第三N型电晶体之闸极 与该第六P型电晶体之源极。 12.如申请专利范围第1项所述之双频带压控振荡器 装置,其中该电路区块包含: 一第一N型电晶体,其中该第一N型电晶体之闸极耦 接于一第一直流偏压; 一第二N型电晶体,其中该第二N型电晶体之汲极耦 接于该第一N型电晶体之源极,源极耦接于一低电 位,闸极耦接于一第二直流偏压; 一第三N型电晶体,其中该第三N型电晶体之源极耦 接于该低电位,闸极耦接于该第二N型电晶体之闸 极; 一第一电容,其中该第一电容之一端耦接于该第三 N型电晶体之汲极,另一端耦接于该第三N型电晶体 之源极;以及 一第二电容,其中该第二电容之一端耦接于该第二 N型电晶体之汲极,另一端耦接于该第二N型电晶体 之源极。 13.如申请专利范围第12项所述之双频带压控振荡 器装置,其中该推动级电路包含: 一第五N型电晶体,该第第五N型电晶体之源极耦接 于该第三N型电晶体之汲极,闸极耦接于该第一N型 电晶体之汲极;以及 一第一电感,其中该第一电感之一端耦接于该第五 N型电晶体之汲极,另一端耦接于一高电位。 14.如申请专利范围第13项所述之双频带压控振荡 器装置,其中该回授开关电路包含: 一第一P型电晶体,其中该第一P型电晶体之汲极耦 接于该第三N型电晶体之汲极; 一第二P型电晶体,其中该第二P型电晶体之源极耦 接于该第一P型电晶体之源极,汲极耦接于该第二N 型电晶体之汲极;以及 一第三电容,其中该第三电容之一端耦接于该第二 P型电晶体之汲极,另一端耦接于该第一N型电晶体 之汲极。 15.如申请专利范围第14项所述之双频带压控振荡 器装置,其中该切换开关电路包含: 一第三P型电晶体,其中该第三P型电晶体之源极系 耦接于该高电位;以及 一第四N型电晶体,其中该第四N型电晶体之闸极同 时耦接于一切换电压端、第二P型电晶体之闸极以 及该第三P型电晶体之闸极,源极耦接于该低电位, 汲极同时耦接于该第三P型电晶体之汲极与该第一 P型电晶体之闸极。 16.如申请专利范围第15项所述之双频带压控振荡 器装置,其中该电感阵列包含: 一第二电感,其中该第二电感之一端耦接于该第一 N型电晶体之汲极,另一端耦接于该高电位。 图式简单说明: 第1图系为电容切换式考毕兹压控振荡器电路图。 第2图系为电感切换式考毕兹压控振荡器电路图。 第3图系绘示依照本发明之双频带压控振荡器方块 图。 第4图系绘示依照本发明第一较佳实施例的一种双 频带压控振荡器电路图。 第5图系绘示依照本发明第二较佳实施例的一种双 频带压控振荡器电路图。 第6图系绘示依照本发明第三较佳实施例的一种双 频带压控振荡器电路图。