| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括: (1)氧化膜,配置于半导体矽基板上之既定位置; (2)闸极导线,配置于半导体矽基板上;及 (3)至少一结构(此后,通称为“架高源/汲极结构"), 选自:配置于由氧化膜定义之既定位置的架高源极 结构、用以接触闸极导线之侧壁和配置于由氧化 膜定义之既定位置的架高源极结构的于半导体矽 基板上之闸极导线与用以接触闸极导线之侧壁的 于半导体矽基板上之闸极导线, 其中半导体矽基板上之架高源/汲极结构的上端部 份外形之垂直投射图案沿垂直于半导体矽基板之 方向实质上系与由氧化膜定义之既定外形以及半 导体矽基板上之闸极导线一致,且至少一沿平行于 半导体矽基板上之架高源/汲极结构的半导体矽基 板平面之截面的垂直投射图案在沿垂直于半导体 矽基板之方向是大于由氧化膜与半导体矽基板上 之闸极导线定义之既定外形。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中半 导体矽基板具有至少一杂质扩散结构; 氧化膜为二氧化矽膜; 闸极导线之侧壁由氮化矽膜构成;以及 半导体装置为动态随机存取记忆体。 3.一种半导体装置之制造方法,包括下述步骤: (1)于半导体矽基板中配置杂质扩散结构与元件绝 缘区域; (2)于半导体矽基板上配置闸极导线;以及 (3)以选择性晶膜生长法增大半导体晶体而突出来 与半导体矽基板上之闸极导线侧壁接触, 其中增大突出半导体晶体之步骤系于至少二或多 种温度标准与二或多种压力标准之一的条件下完 成。 4.如申请专利范围第3项所述之半导体装置之制造 方法,其中至少二或多种温度标准与二或多种压力 标准的条件系至少为下述项目(a)至(c)中之一: (a)于1至100托尔之压力范围中的定压下,第一温度 条件为介于830至900℃之间,而第二温度条件为介于 780至820℃之间; (b)于780至900℃之温度范围中的定温下,第一压力条 件为介于1至10托尔之间,而第二压力条件为介于20 至100托尔之间;以及 (c)第一温度与压力条件分别为介于830至900℃之间 与介于1至10托尔之间,而第二温度与压力条件分别 为介于780至820℃之间与介于20至100托尔之间。 5.如申请专利范围第3项所述之半导体装置之制造 方法,其中于选择性晶膜生长法中所采用之气体为 二氯矽烷(SiH2Cl2)与氯化氢(HCl)之混合气体。 6.如申请专利范围第4项所述之半导体装置之制造 方法,其中于选择性晶膜生长法中所采用之气体为 二氯矽烷(SiH2Cl2)与氯化氢(HCl)之混合气体。 图式简单说明: 第1图系为半导体装置形成架高源/汲极结构前之 部分结构概要剖面图; 第2图系为半导体装置上配置理想架高源/汲极结 构之部分结构概要剖面图; 第3图系为于架高源/汲极结构中产生琢面之半导 体装置之部分结构概要剖面图; 第4图系为于具琢面之架高源/汲极结构中产生接 点之半导体装置之部分结构概要剖面图; 第5图系为由半导体矽基板上方俯视,所见形成架 高源/汲极结构前之主要部份结构之平面图; 第6图系为第5图中沿长短折线a-a之概要剖面图; 第7图系为第5图中沿长短折线b-b之概要剖面图; 第8图系为于第6图所示之在以氧化膜及闸极导线 定义之半导体矽基板上完成选择性晶膜生长法所 得之架高源/汲极结构的主要部份之概要剖面图; 第9图系为配置杂质扩散结构与氧化膜之半导体矽 基板的主要部份之概要剖面图(范例1); 第10图系为于配置闸极导线之半导体矽基板中,沿 垂直于闸极导线之方向的主要部份之概要剖面图( 范例1); 第11图系为具架高源/汲极结构之半导体矽基板的 主要部份之概要剖面图(范例1与2); 第12图系为具架高源/汲极结构之半导体矽基板的 主要部份之概要剖面图(对照范例1);以及 第13图系为具架高源/汲极结构之半导体矽基板的 主要部份之概要剖面图(对照范例2)。 |
