| 主权项 |
1.一种半导体构装,包括: 一半导体晶粒; 一散热件;以及 一止封隔膜,其内以容纳一热介面材料,该止封隔 膜位于该半导体晶粒与该散热件之间,以将该半导 体晶粒所产生的热传递至该散热件。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体构装,更包括 一基板,该半导体晶粒、该散热件及该止封隔膜皆 镶于该基板上。 3.如申请专利范围第1项所述之半导体构装,更包括 一基板,该半导体晶粒系以覆晶接合法镶于该基板 上。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体构装,其中该 止封隔膜具有实质的挠曲性且维持尺寸之稳定性 。 5.如申请专利范围第2项所述之半导体构装,其中该 止封隔膜的材料、形状及厚度系为了匹配该半导 体晶粒、该散热件及该基板的热膨胀系数而调整 。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体构装,其中该 止封隔膜的尺寸维度系为了容纳于该半导体晶粒 与该散热件之间的空间。 7.如申请专利范围第1项所述之半导体构装,其中该 止封隔膜系藉以一黏着物而置于该半导体晶粒上 。 8.如申请专利范围第1项所述之半导体构装,其中该 止封隔膜包括至少一封孔,以将该热介面材料注入 该止封隔膜中。 9.如申请专利范围第1项所述之半导体构装,其中该 止封隔膜具有一体热传导系数,介于0.1至0.3W/mk。 10.如申请专利范围第1项所述之半导体构装,其中 该止封隔膜具有一挠曲模数,大抵小于1000MPA。 11.如申请专利范围第1项所述之半导体构装,其中 该止封隔膜包括一矽胶。 12.如申请专利范围第1项所述之半导体构装,其中 该止封隔膜为一导热材料择自下列任一一组材料 包含铝、铜、碳化合物、铝化合物、银或上述材 料之组合。 13.一种半导体构装的制造方法,包括: 提供一半导体晶粒; 提供一散热件; 提供一止封隔膜,其内以容纳一热介面材料;以及 组装该止封隔膜位于该半导体晶粒与该散热件之 间。 14.如申请专利范围第13项所述之半导体构装的制 造方法,更包括镶嵌该半导体晶粒、该散热件及该 止封隔膜于一基板上。 15.如申请专利范围第13项所述之半导体构装的制 造方法,其中该半导体晶粒系以覆晶接合法镶于一 基板上。 16.如申请专利范围第13项所述之半导体构装的制 造方法,其中该止封隔膜具有实质的挠曲性且维持 尺寸之稳定性。 17.如申请专利范围第13项所述之半导体构装的制 造方法,其中该止封隔膜的尺寸维度系为了容纳于 该半导体晶粒与该散热件之间的空间。 18.如申请专利范围第13项所述之半导体构装的制 造方法,其中该止封隔膜系藉以一黏着物而置于该 半导体晶粒上。 19.如申请专利范围第13项所述之半导体构装的制 造方法,其中该止封隔膜包括至少一封孔,以将该 热介面材料注入该止封隔膜中。 20.如申请专利范围第13项所述之半导体构装的制 造方法,其中该止封隔膜包括一矽胶。 21.如申请专利范围第13项所述之半导体构装的制 造方法,其中该止封隔膜为一导热材料择自下列任 一一组材料包含铝、铜、碳化合物、铝化合物、 银或上述材料之组合。 图式简单说明: 第1图系显示本发明实施例之止封隔膜(sealing membrane)的示意图; 第2图系显示根据本发明实施例之具有止封隔膜半 导体构装的剖面示意图;以及 第3图系显示根据本发明实施例之具有止封隔膜的 多晶片模组构装的剖面示意图。 |
