| 主权项 |
1.一种阵列基板的形成方法,包括: 分别形成一接触垫、一薄膜电晶体、一画素区及 一储存电容于一基板上; 形成一保护层于该接触垫、该薄膜电晶体、该画 素区及该储存电容上; 形成一光阻层于该保护层上; 图案化该光阻层后,移除未被该光阻层遮罩之保护 层,且露出该画素区、部份该薄膜电晶体、部份该 储存电容及部份该接触垫; 沉积一透明导电层于该光阻层及露出之该画素区 、部份该薄膜电晶体、部份该储存电容及部份该 接触垫上;以及 进行一雷射剥除制程,移除该光阻层及其上之该透 明导电层,并留下该画素区、部份该薄膜电晶体、 部份该储存电容及部份该接触垫上之该透明导电 层。 2.如申请专利范围第1项所述之阵列基板的形成方 法,其中该透明导电层包括透明金属氧化物。 3.如申请专利范围第2项所述之阵列基板的形成方 法,其中该透明金属氧化物包括铟锡氧化物、铟锌 氧化物、镉锡氧化物、铝锌氧化物或上述材质之 组合。 4.如申请专利范围第1项所述之阵列基板的形成方 法,其中该雷射剥除制程之雷射能量范围系约650毫 焦耳至约1800毫焦耳。 5.如申请专利范围第1项所述之阵列基板的形成方 法,其中该雷射剥除制程之雷射波长系约大于或约 等于900奈米以上。 6.如申请专利范围第1项所述之阵列基板的形成方 法,其中该保护层包括有机材质、无机材质或上述 材质之组合。 7.如申请专利范围第1项所述之阵列基板的形成方 法,其中该保护层系包括氮化矽层、氧化矽、氮氧 化矽、碳化矽、碳氧化矽或上述材质之组合。 8.如申请专利范围第1项所述之阵列基板的形成方 法,其中该保护层系包括有机矽化合物或有机聚合 物。 9.如申请专利范围第6项所述之阵列基板的形成方 法,其中该有机材质之分子解离能量系约等于或约 大于该雷射剥除制程之雷射能量。 10.如申请专利范围第1项所述之阵列基板的形成方 法,其中分别形成该接触垫、该薄膜电晶体、该画 素区及该储存电容于该基板上之步骤包括: 形成一第一金属层于该基板上,并图案化该第一金 属层以形成该接触垫、该薄膜电晶体之一闸极、 及该储存电容之一下电极,且露出该画素区之该基 板; 形成一介电层于该接触垫、该闸极、该闸极线、 该下电极、及该画素区露出之该基板上; 形成一通道层与一欧姆接触层于该薄膜电晶体之 闸极上; 形成一第二金属层于上述结构上,并图案化该第二 金属层,以形成该薄膜电晶体之源极/汲极、及该 储存电容之一上电极;以及 移除该源极/汲极未遮蔽之该欧姆接触层以露出该 通道层。 11.如申请专利范围第10项所述之阵列基板的形成 方法,更包括形成一蚀刻停止层于该闸极上之该通 道层与该欧姆接触层之间。 12.如申请专利范围第1项所述之阵列基板的形成方 法,其中分别形成该接触垫、该薄膜电晶体、该画 素区及该储存电容于该基板上之步骤包括: 形成一金属层于该基板上,并图案化该第一金属层 以形成该接触垫、该薄膜电晶体之一闸极、及该 储存电容之一下电极,且露出该画素区之该基板; 形成一介电层、一通道层、一欧姆接触层、一第 二金属层、及一光阻层于该接触垫、该闸极、及 该下电极上; 图案化该光阻层,形成一薄光阻区及一厚光阻区, 其中该薄光阻区对应该闸极,该厚光阻区对应该该 闸极之两侧及该下电极; 移除未被该薄光阻区及该厚光阻区遮蔽之该第二 金属层; 移除该薄光阻区; 移除该闸极上之该第二金属层、该欧姆接触层以 露出部份该通道层,同时移除未被该厚光阻区遮蔽 之该欧姆接触层及该通道层,而未被移除之该第二 金属则形成该薄膜电晶体之源极/汲极以及该储存 电容之一上电极;以及 移除该厚光阻区。 13.如申请专利范围第12项所述之阵列基板的形成 方法,更包括形成一蚀刻停止层于该闸极上之该通 道层与该欧姆接触层之间。 14.如申请专利范围第1项所述之阵列基板的形成方 法,其中分别形成该接触垫、该薄膜电晶体、该画 素区及该储存电容于该基板上之步骤包括: 形成一金属层于该基板上,并图案化该第一金属层 以形成该接触垫、该薄膜电晶体之一闸极、及该 储存电容之一下电极,且露出该画素区之该基板; 形成一介电层、一通道层、一欧姆接触层、一第 二金属层、及一光阻层于该接触垫、该闸极、及 该下电极上; 图案化该光阻层,形成一薄光阻区及一厚光阻区, 其中该薄光阻区对应该闸极,该厚光阻区对应该该 闸极之两侧及该下电极; 移除未被该薄光阻区及该厚光阻区遮蔽之该第二 金属层、部份该欧姆接触层、及部份该通道层,露 出部份介电层; 移除该薄光阻区; 移除该闸极上之该第二金属层、该欧姆接触层以 露出部份该通道层,而未被移除之该第二金属则形 成该薄膜电晶体之源极/汲极以及该储存电容之一 上电极;以及 移除该厚光阻区。 15.如申请专利范围第14项所述之阵列基板的形成 方法,更包括形成一蚀刻停止层于该闸极上之该通 道层与该欧姆接触层之间。 图式简单说明: 第1A-1E图系一系列剖面图,显示习知技艺中,形成阵 列基板之流程; 第2A-2E图系一系列剖面图,显示本发明较佳实施例 中,形成阵列基板之流程; 第3A-3G图系一系列剖面图,显示本发明另一较佳实 施例中,形成阵列基板之流程; 第4A、4B图系一剖面图,显示本发明另一较佳实施 例中,以i-stopper所形成之阵列基板。 |
