| 主权项 |
1.一种于基板上制作平滑铟-锡-氧化层(ITO layers)之 方法,该氧化层特别系用于制造有机发光二极体, 其方法包括: 提供一透明导电铟-锡-氧化层于一玻璃基板上以 做为一电极; 利用第一次溅镀法沉积部分厚度之该铟-锡-氧化 层,其中该沉积温度控制在避免晶种形成的条件下 ; 加热该部分涂布之基板至高于该铟-锡-氧化层的 再结晶的温度;以及 利用第二次溅镀法沉积剩下的该铟-锡-氧化层厚 度。 2.如申请专利范围第1项所述之于基板上制作平滑 铟-锡-氧化层(ITO layers)之方法,该氧化层特别系用 于制造有机发光二极体,其中该第一次溅镀法沉积 之部分该铟-锡-氧化层厚度小于70nm。 3.如申请专利范围第1项所述之于基板上制作平滑 铟-锡-氧化层(ITO layers)之方法,该氧化层特别系用 于制造有机发光二极体,其中该第一次溅镀法沉积 之部分该铟-锡-氧化层厚度为25nm到50nm。 4.如申请专利范围第1项所述之于基板上制作平滑 铟-锡-氧化层(ITO layers)之方法,该氧化层特别系用 于制造有机发光二极体,其中该溅镀法系利用DC或 RF/DC磁电管来完成。 5.如申请专利范围第1项所述之于基板上制作平滑 铟-锡-氧化层(ITO layers)之方法,该氧化层特别系用 于制造有机发光二极体,其中该第一次溅镀法之部 分氧化层是沉积在一冷的基板上,该冷的基板的温 度低于150℃。 6.如申请专利范围第1项所述之于基板上制作平滑 铟-锡-氧化层(ITO layers)之方法,该氧化层特别系用 于制造有机发光二极体,其中该第一次溅镀法之部 分氧化层是沉积在一冷的基板上,该冷的基板的温 度低于100℃或更低。 7.如申请专利范围第1项所述之于基板上制作平滑 铟-锡-氧化层(ITO layers)之方法,该氧化层特别系用 于制作有机发光二极体,其中该部份涂布之基板系 加热至150℃或更高。 8.如申请专利范围第1项所述之于基板上制作平滑 铟-锡-氧化层(ITO layers)之方法,该氧化层特别系用 于制作有机发光二极体,其中该部份涂布之基板系 加热至180℃或更高。 9.一种铟-锡-氧化物涂布之基板,尤其系用于制造 有机发光二极体,包括: 一厚度小于70nm之无结晶铟-锡-氧化层涂布于一基 板上;以及 一剩余厚度之铟-锡-氧化层涂布于该基板上,其中 该些涂布方法系根据申请专利范围第1到第5项所 提供之方法。 10.一种具有一平滑铟-锡-氧化层的有机发光二极 体,其中该有机发光二极体系根据如申请专利范围 第1到第5项所提供之方法制造。 图式简单说明: 第1图系绘示出根据本发明实施例一之玻璃基板上 的ITO层之粗糙度即厚度对宽度之关系图;以及 第2图系绘示出根据本发明实施例二之玻璃基板上 的ITO层之粗糙度即厚度对宽度之关系图。 |
