发明名称 | 场发射元件及场发射装置之制造方法 | ||
摘要 | 本发明系有关于一种场发射元件之制造方法,其步骤包括:首先,提供一基板,其表面具有一图案化之闸极层。然后,于此基板表面形成一图案化之光阻层,此光阻层系形成一开口。接着,于此光阻层之开口内依序形成一阴极层及一场发射层。最后,移除光阻层。而可得到本发明之场发射元件。本发明更包括使用此场发射元件之场发射装置之制造方法。本发明系有效地提高场发射元件结构精确度、电子发射源精确度并提高显示器的解析度。 | ||
申请公布号 | TW200828397 | 申请公布日期 | 2008.07.01 |
申请号 | TW095149951 | 申请日期 | 2006.12.29 |
申请人 | 大同股份有限公司 | 发明人 | 李宏元;殷梅 |
分类号 | H01J9/00(2006.01) | 主分类号 | H01J9/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 吴冠赐;杨庆隆;林志鸿 | |
主权项 | |||
地址 | 台北市中山区中山北路3段22号 |