发明名称 半导体记忆体测试装置
摘要 本发明提供一种半导体记忆体测试装置,可缩短半导体记忆体之测试时间(不良分析时间)。依本发明之半导体记忆体测试装置,从失效记忆体传送失效资料至缓冲记忆体,其特征在于:设有失效计数器部,在传送失效资料至缓冲记忆体之同时,将每页总失效数加以计数。
申请公布号 TW200828331 申请公布日期 2008.07.01
申请号 TW096130107 申请日期 2007.08.15
申请人 横河电机股份有限公司 发明人 中垣宪一;木村隆寻
分类号 G11C29/56(2006.01) 主分类号 G11C29/56(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本
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