电容器结构及其制造方法

摘要

本发明系揭露一种电容器结构及其制造方法,其系形成具T字型之电容器结构,以有效的利用扩散阻碍层与下电极层将具高介电常数之介电层与插塞隔离,藉此避免具高介电常数之介电层所含之含氧组成物扩散进入插塞中,导致氧化的情况产生,而提升高介电常数之介电层于制程上应用,并大幅度改善使用高介电常数之介电材作为电容器元件的良率。