发明名称 形成热稳定金属矽化物的方法
摘要 本发明系提供一种形成热稳定金属矽化物的方法,其系在一基底表面完成基本的源极、汲极与闸极相关制程后,溅镀一覆盖层,再进行一矽离子植入步骤,利用热制程使覆盖层中的金属原子进入多晶矽层中的晶粒界面,以提升多晶矽金属矽化物的热稳定性,并藉离子植入步骤提供额外的矽离子至矽底材,使得当元件尺寸缩小的情况下,仍可保持元件之特性,提升产品的良率。
申请公布号 TW200828445 申请公布日期 2008.07.01
申请号 TW095149766 申请日期 2006.12.29
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION 中国 发明人 许允
分类号 H01L21/336(2006.01);H01L21/314(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 代理人 林火泉
主权项
地址 中国