发明名称 监控低温快速热制程的方法
摘要 本发明系揭露一种监控低温快速热制程的方法,其系利用于晶圆上形成一包含有一矽化物层,一厚度为200钴金属层与一厚度为200氮化钛层之监控层,再藉由量测监控层的电阻値来监控该低温快速热制程的稳定性。
申请公布号 TW200828442 申请公布日期 2008.07.01
申请号 TW095149772 申请日期 2006.12.29
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION 中国 发明人 江瑞星;金桂东;高玉歧;缪敦耀
分类号 H01L21/324(2006.01);H01L21/66(2006.01) 主分类号 H01L21/324(2006.01)
代理机构 代理人 林火泉
主权项
地址 中国