摘要 |
<p>Предлагаемая полезная модель относится к области обработки монокристаллов, преимущественно, алмазов, а может быть использована на предприятиях обрабатывающие эти кристаллы для обесцвечивания их и ослабления напряжений в этих кристаллах, т.е. для снижения их дефектности.</p>
<p>Достигаемый технический результат - повышение эффективности термической обработки монокристаллов путем полной ликвидации дефектов этих кристаллов, в частности, дефектных связей «C-N» в результате комплексного воздействия плазменного и облучения инфракрасными лучами.</p>
<p>Установка для термической обработки монокристаллов содержит вакуумную герметичную камеру 1, внутри которой, на ее продольной оси, в вакуума и в среде технологического проводящего газа, инертного к обрабатываемому кристаллу, размещен последний. Герметичная камера 1 выполнена с прозрачными окнами 21, 22, 23 сверху и с боков. Через окна на обрабатываемый, монокристалл сфокусированы посредством линзы и отражателей 17, 18, 19 лучи источников инфракрасного излучения, размещенных снаружи вакуумной камеры 1. Импульсный генератор плазмы выполнен в виде двухэлектродного разрядника, изолированного от вакуумной камеры посредством диэлектрической трубы 24 с перфорированной внутренней стенкой 25 и с кольцевой внутренней полостью 26. Один из электродов 27 разрядника выполнен в виде металлического цилиндра, расположенного внутри диэлектрической трубы с примыканием к ее перфорированной стенке, а другой, противоположно заряженный электрод выполнен в виде металлического штыря 28, расположенного вдоль оси камеры и изолированного от корпуса камеры снизу. Внутренняя полость 26 диэлектрической трубы 24 сообщена с системой подачи технологического газа, преимущественно, аргона. Установка содержит емкостной накопитель 11 энергии в виде по меньшей мере одного конденсатора, связанного с источником тока и подключенного к обоим электродам 27 и 28 разрядника. Генератор 10 импульсного тока запитан на свою систему питания. Управляющее устройство 9 связано электрической цепью с генератором 10 импульсного тока, с импульсным клапаном 13, с емкостным накопителем 11 энергии, с источниками 17, 18, 19 инфракрасного излучения и со средствами контроля технологических параметров. Импульсный генератор плазмы позволяет создать высоковольтный импульс для создания разряда между электродами.</p>
<p>Диэлектрическая труба, являясь отражающей стенкой, усиливает воздействие силы разряда на обрабатываемый монокристалл 7. Комплексное плазменное воздействие наряду с интенсивным облучением инфракрасными лучами позволяет полностью ликвидировать дефекты кристаллической решетки алмаза.</p>
<p>Электрическая схеме предлагаемой установки содержит зарядное устройство, конденсатор, коммутирующий двухэлектродный разрядник и импульсный генератор плазмы с импульсным клапаном.</p>
<p>Полезная модель содержит: 8 н.з.п. ф-лы и 2 илл.</p> |