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L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur comprenant une photodiode et un transistor de transfert associé, le procédé comprenant les étapes suivantes :E1 : formation d'une région d'isolement (214) sur un substrat (200),E2 : formation de la diode d'un premier côté (gauche) de la région d'isolement (214), la diode étant auto-alignée sur la région d'isolement (214),E3 : remplacement de la région d'isolement (214) par une grille (226) du transistor de transfert.Application à la fabrication de capteurs d'image CMOS ou CCD.
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