Wafer-Level-Package mit Chipaufnahmehohlraum und Verfahren desselben

摘要

Die vorliegende Erfindung stellt eine Gehäusestruktur bereit, umfassend ein Substrat mit einem in einer Oberseite des Substrats ausgebildeten Chipaufnahmehohlraum und einer durch dieses hindurch verlaufenden Durchgangslochstruktur, wobei eine Anschlusskontaktfläche unter der Durchgangslochstruktur ausgebildet ist und das Substrat eine auf einer Unterseite des Substrats ausgebildete Leiterbahn einschließt. Ein Chip ist mittels Verklebung in dem Chipaufnahmehohlraum angeordnet und eine Dielektrikumschicht auf dem Chip und dem Substrat ausgebildet. Eine Umverteilungsmetallschicht (RDL) ist auf der Dielektrikumschicht ausgebildet und mit dem Chip und der Durchgangslochstruktur verbunden. Leitende Bumps sind mit der Anschlusskontaktfläche verbunden.