发明名称 |
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium |
摘要 |
<p>Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium, umfassend das Ziehen eines Einkristalls aus einer in einem Tiegel enthaltenen Schmelze und das Abtrennen von Halbleiterscheiben von dem gezogenen Einkristall, wobei während des Ziehens des Einkristalls Wärme zu einem Zentrum des wachsenden Einkristalls an der Grenze zur Schmelze geleitet wird und ein CUSP-Magnetfeld an die Schmelze angelegt wird, so dass eine neutrale Fläche des SUSP-Magnetfeldes eine Ziehachse des Einkristalls in einem Abstand von mindestens 50 mm zu einer Oberfläche der Schmelze schneidet. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.</p> |
申请公布号 |
DE102006060359(A1) |
申请公布日期 |
2008.06.26 |
申请号 |
DE20061060359 |
申请日期 |
2006.12.20 |
申请人 |
SILTRONIC AG |
发明人 |
WEBER, MARTIN;SCHMIDT, HERBERT;AMMON, WILFRIED VON |
分类号 |
C30B15/22;C30B15/00 |
主分类号 |
C30B15/22 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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