Isolierte Mehrfachgate-FET-Schaltungsblöcke mit verschiedenen Massepotenzialen

摘要

Eine elektronische Schaltung auf einem Halbleitersubstrat, welche isolierte Mehrfachgate-Feldeffekttransistorschaltungsblöcke aufweist, wird offenbart. Bei manchen Ausführungsbeispielen weist eine elektronische Schaltung ein Substrat mit einem isolierenden vergrabenen Oxidgebiet auf. Ein MuGFET-Bauteil kann über dem vergrabenen Oxidgebiet ausgebildet sein und mit einer ersten Referenzpotenzialquelle gekoppelt sein. Ein Halbleiterbauteil kann über dem Substrat ausgebildet sein und mit einer zweiten Referenzpotenzialquelle gekoppelt sein. Ein Kopplungsnetzwerk kann ausgebildet sein, um das MuGFET-Bauteil mit dem Halbleiterbauteil zu koppeln.