发明名称 Gestapelte Halbleiterbausteine
摘要 Ein erster Halbleiterchip wird mit Hilfe einer ersten Verfahrenstechnologie ausgebildet. Eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen wird in dem ersten Halbleiterchip ausgebildet und der erste Halbleiterchip wird so ausgedünnt, dass sich jede Durchkontaktierung von der oberen Oberfläche zu einer unteren Oberfläche des Chips erstreckt. Ein zweiter Halbleiterchip wird mit Hilfe einer zweiten Verfahrenstechnologie, die sich von der ersten Verfahrenstechnologie unterscheidet, ausgebildet. Der zweite Halbleiterchip umfasst eine Mehrzahl von Anschlüssen an einer Oberfläche. Der erste Halbleiterchip ist angrenzend an den Halbleiterchip angebracht, so dass einige der Durchkontaktierungen elektrisch mit zugehörigen Anschlüssen gekoppelt sind.
申请公布号 DE102007060640(A1) 申请公布日期 2008.06.26
申请号 DE20071060640 申请日期 2007.12.15
申请人 QIMONDA NORTH AMERICA CORP. 发明人 SITARAM, ARKALGUD
分类号 H01L25/065;G11C5/12;H01L27/108;H01L27/115 主分类号 H01L25/065
代理机构 代理人
主权项
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