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Die Polieraufschlämmung ist zur Entfernung von Rutheniumschichten von strukturierten Halbleitersubstraten in der Gegenwart von mindestens einem Nicht-Eisen-Zwischenverbindungsmetall und einem Dielektrikum geeignet. Die Polieraufschlämmung umfasst 0,001 bis 10 Gewichtsprozent Periodsäure oder eines Salzes davon, mindestens 0,0001 Gewichtsprozent Inhibitor zur Verminderung der Entfernungsgeschwindigkeit der Nicht-Eisen-Zwischenverbindungsmetalle, 0,00001 bis 5 Gewichtsprozent organisches Additiv zur Verminderung der Dielektrikum-Entfernungsgeschwindigkeit, wobei das organische Additiv aus mindestens einem von wasserlöslichen Polymeren und grenzflächenaktiven Mitteln ausgewählt ist, wobei das organische Additiv eine Ethylenoxidgruppe oder eine Amidgruppe enthält, 0,1 bis 50 Gewichtsprozent Schleifmittel und als Rest Wasser, und wobei die Aufschlämmung einen pH-Wert von mehr als 8 bis 12 aufweist.
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