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Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Elements in einem Substrat wird eine Mehrzahl von Carbid-Präzipitaten in dem Substrat gebildet. Implantations-Ionen werden in das Substrat implantiert, wodurch Kristalleffekte in dem Substrat gebildet werden. Das Substrat wird erhitzt, derart, dass zumindest ein Teil der Kristalldefekte mittels der Carbid-Präzipitate eliminiert wird. Das Halbleiter-Element wird unter Verwendung der Implantations-Ionen gebildet.
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