| 发明名称 | 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅——绝缘埋层——单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛且硅岛下面保留一部分的绝缘埋层；硅岛各平行边之间的垂直距离小于外延氮化镓厚度的两倍；硅岛下面绝缘埋层剩余部分的截面积S<SUB>2</SUB>小于硅岛面积S<SUB>1</SUB>/4，而大于S<SUB>1</SUB>/25；本发明的图形化衬底材料具有大尺寸、低成本优点，可提高吸收异质外延的应力，提高外延生长的GaN晶体的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN100397651C | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610023694.6 | 申请日期 | 2006.01.26 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 孙佳胤;陈静;王曦 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1.一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料，(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅——绝缘埋层——单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛，且硅岛下面保留一部分的绝缘埋层，使硅岛呈半悬空的状态。其特征在于所述的硅岛下面保留一部分的绝缘埋层，保留部分的绝缘埋层的截面积S2小于硅岛面积S1的1/4，而大于硅岛面积S1的1/25；且相邻硅岛的各平行边之间的距离小于外延氮化镓厚度的两倍。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||