| 发明名称 | 具混成应变诱导层的应变晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种具混成应变(hybrid-strained)层的半导体装置，及其形成方法。此半导体装置包括：栅极介电层位于基材之上栅极介电层；栅极电极位于栅极介电层之上；一选择性的间隙壁对位于沿着栅极介电层与栅极电极的侧壁之上；实质上与栅极电极的一边缘对准的源极/漏极区域；与应变层覆盖源极/漏极区域、栅极电极与间隙壁，其中此应变层具有一第一部份与一第二部份。应变层的第一部份实质上覆盖源极/漏极区域并具有一第一本质应变。应变层的第二部份的至少一部分实质上覆盖栅极电极与间隙壁并具有与第一本质应变形式相反的一第二本质应变。 | ||
| 申请公布号 | CN100397659C | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200510084137.0 | 申请日期 | 2005.07.14 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈建豪;李资良 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于该半导体装置至少包含：一栅极介电层，在一基材之上；一栅极电极，在该栅极介电层之上；二源极/漏极区域，位于该栅极电极的两侧；以及一应变层覆盖该栅极电极及该些源极/漏极区域，该应变层包括：一第一应变部分，至少位于该些源极/漏极区域上，该第一应变部分具有一第一应力；以及一第二应变部分，至少位于该栅极电极上，该第二应变部分具有一第二应力，其中该第二应力实质上与该第一应力不同。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 | ||