| 发明名称 | 减小存储单元写入扰乱的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种减小存储单元写入扰乱的方法，包括以下步骤：寻找能保证存储单元正常写入的初始写入条件；挑选初始写入条件中的两个参数作为写入扰乱测试的变量；至少针对该两个参数的两个组合值，对存储单元进行写入扰乱测试；根据写入扰乱测试结果，得到使存储单元写入扰乱最小的最小扰乱写入条件；应用得到的最小扰乱写入条件作为存储单元进行写入操作时的写入条件。通过本发明减小存储单元写入扰乱的方法使得存储单元写入操作时的写入扰乱最小，并且操作方便。 | ||
| 申请公布号 | CN101206921A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610147709.X | 申请日期 | 2006.12.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 缪威权;陈良成;钟灿;刘鉴常 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01);G11C29/00(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，包括下列步骤，(1)寻找能保证存储单元正常写入的初始写入条件；(2)挑选初始写入条件中的两个参数作为写入扰乱测试的变量；(3)至少针对该两个参数的两个组合值，对存储单元进行写入扰乱测试；(4)根据写入扰乱测试结果，得到使存储单元写入扰乱最小的最小扰乱写入条件；(5)应用得到的最小扰乱写入条件作为存储单元进行写入操作时的写入条件。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||