| 发明名称 | 半导体器件的栅极形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法至少包括下列步骤：提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成栅极；在所述栅极侧壁和表面形成保护层；对所述栅极进行预掺杂。本发明的方法，能够避免预掺杂后晶片表面出现的凹陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101207026A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610147792.0 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;刘乒;马擎天 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法至少包括下列步骤：提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成栅极；在所述栅极侧壁和表面形成保护层；对所述栅极进行预掺杂。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||