发明名称 |
磁阻器件、薄膜磁头和磁盘驱动设备 |
摘要 |
一种磁阻器件、薄膜磁头和磁盘驱动设备,该磁阻器件包括:反铁磁层;第一被钉扎层,其磁化方向被该反铁磁层固定;参考被钉扎层,与该第一被钉扎层反铁磁耦合,并且反平行于该第一被钉扎层;以及自由层,其磁化方向在施加外部磁场下相对于该参考被钉扎层而改变。该第一被钉扎层沿芯部宽度方向的尺寸大于该参考被钉扎层沿芯部宽度方向的尺寸。 |
申请公布号 |
CN101207177A |
申请公布日期 |
2008.06.25 |
申请号 |
CN200710199732.8 |
申请日期 |
2007.12.12 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
近藤玲子 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01);H01F10/32(2006.01);G11B5/39(2006.01) |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张龙哺 |
主权项 |
1.一种磁阻器件,包括:反铁磁层;第一被钉扎层,其磁化方向被该反铁磁层固定;参考被钉扎层,与该第一被钉扎层反铁磁耦合,并且反平行于该第一被钉扎层;以及自由层,其磁化方向在施加外部磁场下相对于该参考被钉扎层而改变;其中,该第一被钉扎层沿芯部宽度方向的尺寸大于该参考被钉扎层沿该芯部宽度方向的尺寸。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |