| 发明名称 | 离子植入方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种离子植入方法，其包括形成从衬底向外突出的一对间隔且相邻的特征。将所述对间隔特征的至少最外部分彼此横向拉离，其中在所述特征上方接纳有图案化光致抗蚀剂层，且所述图案化光致抗蚀剂层中具有接纳于所述对间隔特征中间的开口。在此类间隔特征被横向牵拉的同时，将物种离子植入到被接纳为低于所述对间隔特征的衬底材料中。在所述离子植入之后，从所述衬底移除所述图案化光致抗蚀剂层。预期有其它方面和实施方案。 | ||
| 申请公布号 | CN101208777A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200680022735.8 | 申请日期 | 2006.05.25 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 兰德尔·卡尔佛;特伦斯·B·麦克丹尼尔;王虹美;詹姆斯·L·戴尔;理查德·H·莱恩;弗雷德·D·菲什伯恩 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/266(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1.一种离子植入方法，其包括：形成从衬底向外突出的一对间隔且相邻的特征；将所述对间隔特征的至少最外部分彼此横向拉离，其中在所述特征上方接纳有图案化光致抗蚀剂层，且所述图案化光致抗蚀剂层中具有接纳于所述对间隔特征中间的开口；在所述间隔特征被横向牵拉的同时，将物种离子植入到接纳为低于所述对间隔特征的衬底材料中；以及在所述离子植入之后，从所述衬底移除所述图案化光致抗蚀剂层。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||