具有减少外部能量粒子冲击的半导体装置

摘要

本发明是有关于一种具有减少外部能量粒子冲击的半导体装置。其主要包括NMOS晶体管、PMOS晶体管、第一电压以及第二电压。NMOS晶体管位于深N型井区的P型井区上。PMOS晶体管位于该深N型井区的N型井区上。第一电压耦合至PMOS晶体管的源极节点。第二电压高于第一电压，且第二电压耦合至N型井区，其中第二电压用以扩展PMOS与NMOS晶体管的耗尽层，以吸收外部的能量粒子所形成的电子及空穴。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于其至少包括：至少一NMOS晶体管，位于P型井区中，该P型井区耦合于接地位置且位于一基材的深N型井区中；至少一PMOS晶体管，位于N型井区中，该N型井区位于该深N型井区中；一第一电压，耦合于该PMOS晶体管的源极节点，其中所述的第一电压是正供应电压；以及一第二电压，大于该第一电压，且该第二电压耦合于该N型井区，其中该第二电压与该第一电压之间的偏压，使具有电场的层间耗尽层扩大至该基材，藉以吸收外部的粒子所形成的电子及空穴。