| 发明名称 | 具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法：在制作MOS晶体管之前，先在该晶体管的基体表面注入与该基体杂质类型相同的杂质，然后高温扩散推进所注入的杂质以在所述基体表面形成加浓层，最后在所形成的加浓层上按常规工艺制造MOS晶体管。该方法能获得高精度的阈值电压Vt，从而提高了电路的一致性和合格率。 | ||
| 申请公布号 | CN101207039A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610147577.0 | 申请日期 | 2006.12.20 |
| 申请人 | 上海贝岭股份有限公司 | 发明人 | 陈康民 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄威;张金海 |
| 主权项 | 1.一种具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：在制作MOS晶体管之前，在该晶体管的基体表面高能量注入与该基体杂质类型相同的杂质；高温扩散推进所述注入的杂质以在所述基体表面形成加浓层；在所述形成的加浓层上制造MOS晶体管。 | ||
| 地址 | 200233上海市宜山路810号 | ||