| 发明名称 | 曝光掩模及使用该曝光掩模制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种用于凹式栅极的曝光掩模，所述曝光掩模包括透明基板和凹式栅极图案。所述凹式栅极图案布置在所述透明基板上方。所述凹式栅极图案包括具有第一线宽的第一部分和具有第二线宽的第二部分，所述第二线宽小于所述第一线宽。在所述第二部分中，所述凹式栅极图案的各元件间隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN101206394A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200710130155.7 | 申请日期 | 2007.07.20 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑龙淳 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01);G03F1/00(2006.01);G03F7/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F1/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种曝光掩模，其用于在具有多个有源区的半导体基板上形成凹式栅极，所述曝光掩模包括：透明基板；以及凹式栅极图案，其包括布置在所述透明基板上方的多条栅极线，所述凹式栅极图案还包括具有第一线宽的第一部分和具有第二线宽的第二部分，所述第二线宽小于所述第一线宽，其中，在所述第二部分中，所述凹式栅极图案的相邻元件以距离t间隔开，其中0＜t＜1/5F，F是两条相邻栅极线之间的距离。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||