| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，使用长波长激光，有选择地对半导体衬底内的预定区域进行退火。在具有区域(An)和区域(Ap)的半导体衬底(1)上形成对于激光(20)的照射随着膜厚变薄而反射率变小的反射率调整膜(17)后，蚀刻区域(An)上的反射率调整膜(17)。接着，对半导体衬底(1)照射激光(20)，对区域(An)的n－型半导体区域(11)、n+型半导体区域(14)进行退火。同样地，在半导体衬底(1)上形成反射率调整膜(17)后，蚀刻区域(Ap)上的反射率调整膜(17)。接着，对半导体衬底(1)照射激光(20)，对区域(Ap)上的p－型半导体区域(12)、p+型半导体区域(15)进行退火。 | ||
| 申请公布号 | CN101207011A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200710186827.6 | 申请日期 | 2007.11.22 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 岛明生 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/331(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 季向冈 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：步骤a，在具有第一区域和第二区域的半导体衬底上形成反射率调整膜，该反射率调整膜随着膜厚变薄而对光源的光照射的反射率变小；步骤b，蚀刻上述第一区域上的上述反射率调整膜；步骤c，在上述步骤b之后，通过对上述半导体衬底照射上述光而对上述第一区域进行退火。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||