| 发明名称 | 沟槽制作方法 | ||
| 摘要 | 一种沟槽制作方法，提供具有第一沟槽的半导体衬底，在沟槽以外的半导体衬底上外延生长半导体材料，形成第二沟槽。本发明的工艺方法可大大提高沟槽的深度。 | ||
| 申请公布号 | CN101206994A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610147434.X | 申请日期 | 2006.12.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 虞肖鹏;张复雄;季华 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种沟槽制作方法，提供具有第一沟槽的半导体衬底，其特征在于，在第一沟槽以外的半导体衬底上生长外延半导体材料层，形成第二沟槽。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||