| 发明名称 | 半导体器件栅极的制作方法及调整方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件栅极的制作方法及调整方法，制作方法包括步骤：沉积具有应力的多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层，形成栅极，且所述栅极的形状由所述多晶硅层具有的应力确定，当所述应力为张应力时，形成的栅极底部具有缺角；当所述应力为压应力时，形成的栅极形状为侧壁垂直或底部具有足部。本发明的栅极制作方法，实现简单方便，可以制作出各种形状的栅极，有效提高器件性能。本发明的栅极调整方法利用光学特征尺寸方法检测实际制作的栅极形状，并根据其与设定的栅极形状间的差别，对多晶硅层具有的应力进行调整，最终制作出与设定形状相符的栅极。本发明的调整方法灵活多变，可以在较大范围内实现对栅极形状的调整。 | ||
| 申请公布号 | CN101207025A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610147435.4 | 申请日期 | 2006.12.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 陈海华;张海洋;杜珊珊 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/66(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件栅极的制作方法，包括步骤：沉积具有应力的多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层，形成栅极，且所述栅极的形状由所述多晶硅层具有的应力确定，当所述应力为张应力时，形成的栅极底部具有缺角；当所述应力为压应力时，形成的栅极形状为侧壁垂直或底部具有足部。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||