| 发明名称 | 静电放电保护电路的半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种静电放电保护电路的半导体结构及其形成方法，该半导体集成电路结构，包括布置于基材中的复数个二极管。这些二极管电性串联耦接。至少一嵌入区布置于两个二极管间的基材中，以及一供应电压节点电性耦接嵌入区。较佳的是，一保护环包围这些二极管。该形成集成电路的方法，包括：形成复数个二极管于一基材中；形成至少一嵌入区于该些二极管之间；形成导线耦接串联的该些二极管；以及耦接一接地电位或电源电位至该嵌入区。 | ||
| 申请公布号 | CN100397647C | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200510051270.6 | 申请日期 | 2005.03.03 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄绍璋;李建兴 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/60(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路结构，其特征在于其至少包括：一基材；复数个二极管，布置于基材中，该些二极管电性串联；至少一嵌入区，布置于该基材中，并介于该些二极管的两个二极管之间，其中一漏电流被导入该至少一嵌入区；一电压节点，电性耦接该嵌入区；以及一保护环，包围该复数个二极管，其中该保护环电性耦接该电压节点。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 | ||