| 发明名称 |
场发射阴极的制备方法 |
| 摘要 |
一种场发射阴极的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底表面形成一导电薄膜层；形成一光吸收层于上述导电薄膜层上；形成一催化剂层于上述光吸收层上；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以激光束聚焦照射基底从而生长碳纳米管阵列，形成场发射阴极。 |
| 申请公布号 |
CN101206979A |
申请公布日期 |
2008.06.25 |
| 申请号 |
CN200610157894.0 |
申请日期 |
2006.12.22 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
陈卓;罗春香;姜开利;范守善 |
| 分类号 |
H01J9/02(2006.01);H01J1/304(2006.01) |
主分类号 |
H01J9/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种场发射阴极的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底表面形成一导电薄膜层；形成一光吸收层于上述导电薄膜层上；形成一催化剂层于上述光吸收层上；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以激光束聚焦照射基底从而生长碳纳米管阵列，形成场发射阴极。 |
| 地址 |
100084北京市海淀区清华大学清华－富士康纳米科技研究中心310号 |
