| 发明名称 | 联合平面FET和鳍片FET的器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件。所述器件包括：在单晶硅衬底中形成的平面FET，所述FET包括第一沟道区域、在所述第一沟道区域的相对的侧上的第一和第二源极漏极以及栅极，所述栅极在所述沟道区域之上并通过第一栅极介质层与所述沟道区域电隔离；以及在单晶硅块上形成的鳍片FET，所述单晶硅块在所述衬底的顶上并与所述衬底电隔离，所述鳍片FET包括第二沟道区域、在所述第二沟道区域的相对的第一和第二端上的第三和第四源极漏极以及栅极，所述栅极通过第二栅极介质层与所述第二沟道区域电隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN101207124A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200710199904.1 | 申请日期 | 2007.11.14 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | A·布赖恩特;W·F·小克拉克;B·A·安德森;E·J·诺瓦克 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L27/088(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种器件，包括：平面FET，其被形成在单晶硅衬底中，所述FET包括第一沟道区域、在所述第一沟道区域的相对的侧上的第一和第二源极/漏极以及栅极，所述栅极在所述沟道区域之上并通过第一栅极介质层与所述第一沟道区域电隔离；以及鳍片FET，其被形成在单晶硅块中，所述单晶硅块在所述衬底的顶上并与所述衬底电隔离，所述鳍片FET包括第二沟道区域、所述第二沟道区域的相对的第一和第二端上的第三和第四源极/漏极以及所述栅极，所述栅极通过第二栅极介质层与所述第二沟道区域电隔离。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||