使用有机金属铱化合物的有机存储装置及其制造方法

摘要

本发明披露了组合物、包含该组合物的有机有源层、包括该有机有源层的有机存储装置以及制造该有机存储装置的方法，所述组合物包括至少一种有机金属铱化合物和导电聚合物的混合物。所述有机存储装置可包括第一电极、第二电极以及位于第一和第二电极之间的有机有源层。所述有机存储装置具有以下优点：快速的转换时间、降低的工作电压、降低的制造成本、提高的可靠性和改进的非易失性。

主权项

1.一种组合物，其包括导电聚合物和至少一种有机金属铱化合物的混合物，所述有机金属铱化合物选自通式1～3表示的化合物：其中R₁、R₂和R₃彼此相同或不同，各自独立地为H、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₂₀环烷基、取代或未取代的C₃-C₂₀杂环烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₄-C₃₀杂芳基、取代或未取代的C₇-C₃₀芳烷基或者取代或未取代的C₆-C₃₀芳氧基，Z₁和Z₂彼此相同或不同，各自独立地为O、N或S，和n为约1～约3的整数；其中R₁、R₂和R₃彼此相同或不同，各自独立地为H、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₂₀环烷基、取代或未取代的C₃-C₂₀杂环烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₄-C₃₀杂芳基、取代或未取代的C₇-C₃₀芳烷基或者取代或未取代的C₆-C₃₀芳氧基，Z₁和Z₂彼此相同或不同，各自独立地为O、N或S，和n为约1～约3的整数；以及其中R₁和R₂彼此相同或不同，各自独立地为H、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₂₀环烷基、取代或未取代的C₃-C₂₀杂环烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₄-C₃₀杂芳基、取代或未取代的C₇-C₃₀芳烷基或者取代或未取代的C₆-C₃₀芳氧基。