| 发明名称 | 半导体芯片 | ||
| 摘要 | 提出了一种半导体芯片(1)，包括：至少一个熔丝元件(21)；在熔丝元件(21)上方形成的熔丝开口(17)；以及在熔丝开口(17)的底部部分(17a)下面形成的、并且在与熔丝元件(21)相同的层和熔丝元件(21)上方的层之一中形成的放电电极(31)。因此可以将由于在组装半导体芯片时产生的静电放电引起流动的电流通过放电电极(31)进行放电。结果，可以防止由于在组装半导体芯片时产生的静电放电引起流动的电流通过熔丝元件进行放电，从而可以解决在半导体芯片中发生功能失效的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101207118A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200710160324.1 | 申请日期 | 2007.12.19 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 三谷仁 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/60(2006.01);H01L23/525(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种半导体芯片，包括：熔丝元件；在所述熔丝元件上面形成的绝缘膜；在所述绝缘膜中形成的开口，所述开口具有底部；以及在所述底部下面形成的放电电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||