脊形波导式半导体激光器制作方法

摘要

本发明提供一种脊形波导式半导体激光器及其制作方法，包括具有脊形波导突起的脊形波导晶片，位于脊形波导突起的两侧自下而上包括：一层二氧化硅钝化膜和一层聚酰亚胺膜，且聚酰亚胺膜的上表面高于脊形波导突起的上表面，P型电极覆盖在所述脊形波导突起的上表面以及位于其两侧的聚酰亚胺膜的上表面并形成欧姆接触，N型电极形成在脊形波导晶片的底部表面。脊形波导突起的两侧被聚酰亚胺膜进行了有效填充，提高了蒸发金属电极的覆盖能力，改善了P型电极的欧姆接触，因而减小了串联电阻，且避免在芯片工艺操作和芯片封装过程中由于脊形波导突起受损导致芯片失效。

主权项

1.一种脊形波导式半导体激光器的制作方法，其特征在于，其操作顺序如下：A、在半导体外延片上生长一层二氧化硅膜(9)，在其掩蔽下，光刻出脊形波导突起(8)，其宽度控制在2μm左右，清洗掉光刻胶后形成脊形波导晶片(1)；B、将脊形波导晶片(1)在氢氟酸中去掉掩蔽用的二氧化硅膜(9)，清洗干净后，通过PECVD生长一层二氧化硅钝化膜(2)覆盖在脊形波导晶片(1)的上表面；C、在脊形波导晶片(1)的二氧化硅钝化膜(2)的表面涂敷一层聚酰亚胺膜(4)，使其充满在脊形波导突起(8)的两侧，并使整个聚酰亚胺膜(4)的上表面高于脊形波导突起(8)的上表面；D、在氮气的保护下，采用阶梯升温法对脊形波导晶片(1)上表面的聚酰亚胺膜(4)进行亚胺化处理后，再涂上一层厚的正性光刻胶(5)，按照掩膜版的设计，曝光显影；E、将涂有正性光刻胶(5)的脊形波导晶片(1)放到等离子去胶机中，进行等离子刻蚀，并轰击掉脊形波导突起(8)上表面的聚酰亚胺膜(4)，刻蚀完成后，在丙酮中完全清除整个聚酰亚胺膜(4)上表面的剩余正性光刻胶(5)；F、将正性光刻胶(5)清洗干净后的脊形波导晶片(1)，在氢氟酸中腐蚀掉脊形波导突起(8)上表面的二氧化硅钝化膜(2)；G、蒸发P型电极(6)与N型电极(6′)，对所蒸发的P型电极(6)与N型电极(6′)进行合金。