| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，包括：形成于半导体基板上的第一布线层；形成于该第一布线层上的层间绝缘膜；在该层间绝缘膜上形成的由金层构成的作为最上层布线层的第二布线层；在形成于上述层间绝缘膜上的层间连接用开口内，夹持在上述第一布线层与第二布线层之间的阻挡层。所述阻挡层具有与上述第一布线层接触并使接触电阻减少的第一层、与上述第二布线层接触并使接触强度提高的第二层、以及夹持在上述第一层与上述第二层之间的第三层。例如可以是的一层为第一钽层、第二层为第二钽层、第三层为氮化钽层。 | ||
| 申请公布号 | CN100397636C | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200410055933.7 | 申请日期 | 2004.07.30 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 仲谷吾郎 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘建 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：形成于半导体基板上的第一布线层；形成于该第一布线层上的层间绝缘膜；在该层间绝缘膜上形成的由金层构成的作为最上层布线层的第二布线层；在形成于上述层间绝缘膜上的层间连接用开口内，夹持在上述第一布线层与第二布线层之间的阻挡层，所述阻挡层具有与上述第一布线层接触并使接触电阻减少的第一钽层、与上述第二布线层接触并使粘接强度提高的第二钽层、以及夹持在上述第一钽层与上述第二钽层之间的氮化钽层，上述氮化钽层的氮原子密度分布，是在上述第一钽层侧的氮原子密度低于在上述第二钽层侧的氮原子密度。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||