| 发明名称 | 检测反应腔室内等离子体分布密度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种检测反应腔室内等离子体分布密度的方法，首先在反应腔室内的硅片上表面设置多个检测装置，然后在检测装置的上方设有抗等离子体轰击薄膜，检测装置包括感光元件和数据存储单元。然后通过检测装置检测硅片上方的等离子体发射的光谱强度，并通过检测到的光谱强度分析反应腔室内硅片上方的等离子体分布密度。检测方便、检测结果准确，主要适用于半导体加工设备的反应腔室，也适用于其它在等离子体环境下进行工艺的腔室。 | ||
| 申请公布号 | CN101206990A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610169568.1 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 陈卓 |
| 分类号 | H01J37/244(2006.01);H01L21/66(2006.01);H01L21/3065(2006.01);G01T1/29(2006.01);H05H1/00(2006.01) | 主分类号 | H01J37/244(2006.01) |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵镇勇 |
| 主权项 | 1.一种检测反应腔室内等离子体分布密度的方法，其特征在于，包括步骤：A、在反应腔室内需检测的位置设置多个检测装置；B、通过检测装置检测所在位置的等离子体发射的光谱强度，并通过检测到的光谱强度，分析反应腔室内等离子体分布密度。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 | ||