| 发明名称 | 薄膜阶梯覆盖率和加载效应的测量方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜阶梯覆盖率和加载效应的测量方法，包括：提供一半导体衬底；在所述衬底表面形成测试区域；在所述测试区域表面淀积电介质薄膜；利用光学特征尺寸测量方法测量所述薄膜的厚度；利用所述厚度计算薄膜阶梯覆盖率和加载效应。本发明的方法能够以不破坏晶片的方式测量薄膜介质层的阶梯覆盖率和加载效应。 | ||
| 申请公布号 | CN101207056A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610147436.9 | 申请日期 | 2006.12.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何有丰;朴松源;白杰 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);C23C16/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种薄膜阶梯覆盖率和加载效应的测量方法，包括：提供一半导体衬底；在所述衬底表面形成测试区域；在所述测试区域表面淀积电介质薄膜；利用光学特征尺寸测量方法测量所述薄膜的厚度；利用所述厚度计算薄膜阶梯覆盖率和加载效应。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||