| 发明名称 | 一种提高非挥发性存储器数据擦除速度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种提高非挥发性存储器数据擦除速度的方法，所述的非挥发性存储器包括衬底，形成于衬底中的源极和漏极，以及形成于衬底上方的栅极，其中，栅极和衬底之间还具有三个相叠加的绝缘层，中间一层用于捕陷电荷，两边的绝缘层用于锁住中间层的电荷，所述的方法在数据擦除过程中在衬底上加载一负电压。采用本发明的方法在不需要引入额外的制造工艺或编程技术的前提下，能有效提高非挥发性存储器的数据擦写效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101207157A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610147627.5 | 申请日期 | 2006.12.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 钟灿;缪威权;陈良成;刘鉴常 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01);H01L27/115(2006.01);G11C16/14(2006.01) | 主分类号 | H01L29/792(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1.一种提高非挥发性存储器数据擦除速度的方法，所述的非挥发性存储器包括衬底，形成于衬底中的源极和漏极，以及形成于衬底上方的栅极，其中，栅极和衬底之间还具有三个相叠加的绝缘层，中间一层用于捕陷电荷，两边的绝缘层用于锁住中间层的电荷，其特征在于：所述的方法在数据擦除过程中在衬底上加载一负电压。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||