金属类膜形成方法以及存储程序的存储介质

摘要

本发明提供通过控制结晶结构形成具有比现有技术中更低电阻的金属类膜的方法。该方法包括：通过在作为金属类原料气体例如供给WF₆气体的步骤和作为氢化物气体例如供给SiH₄气体的步骤之间，插入供给不活泼气体例如Ar气体、N₂气体的清洁步骤，交替地反复进行，形成包含非品质的第一钨膜的第一钨膜成膜步骤；和在第一钨膜上，通过同时供给上述WF₆气体和作为还原性气体的例如H₂气体，形成第二钨膜的第二钨膜成膜步骤。通过改变在供给SiH₄气体的步骤之后的清洁步骤的进行时间控制第一钨膜包含的非晶质的比例。

主权项

1.一种金属类膜形成方法，其特征在于，包括：通过交替地反复供给所述金属类原料气体和氢化物气体，形成包含非晶质的第一金属类膜的第一金属类膜成膜步骤；在所述第一金属类膜上，通过同时供给所述金属类原料气体和还原性气体，形成第二金属类膜的第二金属类膜成膜步骤。