发明名称 |
薄膜晶体管阵列基板的制造方法 |
摘要 |
本发明是关于一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其是首先提供一基板,基板具有一像素区与一焊垫区。像素区上至少配置有多条扫描配线、多条数据配线与多个薄膜晶体管。焊垫区上配置有多个焊垫。接着,在基板上方依序形成一保护层与一平坦层,平坦层具有多个第一开口与多个第二开口。平坦层在像素区具有一第一厚度,在焊垫区具有一第二厚度,且第一厚度是大于第二厚度。然后,以平坦层为掩模,移除第一开口与第二开口内的材料层,直到暴露出薄膜晶体管的漏极与焊垫。最后,在平坦层上形成多个电性连接至漏极的像素电极与多个电性连接至焊垫的电极材料层。 |
申请公布号 |
CN100397213C |
申请公布日期 |
2008.06.25 |
申请号 |
CN200310124224.5 |
申请日期 |
2003.12.31 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
李淑琴;黄国有 |
分类号 |
G02F1/136(2006.01);H01L21/02(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/136(2006.01) |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于其包括以下步骤:提供一基板,具有一像素区与一焊垫区,该像素区上至少配置有多数条扫描配线、多数条数据配线与多数个具有一栅极、一源极以及一漏极的薄膜晶体管,且该焊垫区上至少配置有多数个焊垫;在该基板上方形成一保护层;在该保护层上形成一平坦层,该平坦层具有多数个第一开口与多数个第二开口,该些第一开口是位于该些漏极上方,该些第二开口是位于该些焊垫上方,其中位于该像素区的该平坦层具有一第一厚度,而位于该焊垫区的该平坦层具有一第二厚度,且该第一厚度是大于该第二厚度;以该平坦层为掩模,移除该些第一开口以及该些第二开口所暴露出的材料层,直到暴露出该些漏极与该些焊垫;以及在该平坦层上形成多数个像素电极以及多数个电极材料层,其中该些像素电极是与该些漏极电性连接,而该些电极材料层是与该些焊垫电性连接。 |
地址 |
中国台湾 |