| 发明名称 | 一种减少等离子损伤的硅片卸载工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种能有效减少等离子损伤的硅片卸载工艺，它是直接通入载气并起辉。本发明所述的硅片卸载工艺能有效减少对硅片元件造成的等离子损伤，并缩短工艺时间。 | ||
| 申请公布号 | CN100397566C | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200510126273.1 | 申请日期 | 2005.12.02 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 王铮 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 练光东 |
| 主权项 | 1.一种减小等离子损伤的硅片卸载工艺，其特征在于，直接通入载气并通过施加腔室压力和上电极功率起辉，其中工艺参数设置为：腔室压力80-200mT，上电极功率50-200W，载气流量50-500sccm，时间1-10s。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||